Mitsubishi CM150E3U-12H

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Mitsubishi CM150E3U-12H

Visão Geral

O Mitsubishi CM150E3U-12H é um módulo de potência IGBT simples, classificado para 150 A e 600 V, oferecendo comutação em alta velocidade e baixas perdas de condução. Projetado com uma baixa tensão de saturação e base isolada, este módulo é ideal para eletrônicos de potência compactos e de alta eficiência. Seu pacote de montagem em chassi robusto garante confiabilidade a longo prazo em ambientes industriais.

Características Principais

Configuração IGBT simples
Corrente do coletor: 150 A
Tensão coletor-emissor: 600 V
Baixa VCE(sat) para alta eficiência
Diodo de roda livre integrado
Base isolada para dissipação térmica otimizada
Construção robusta de montagem em chassi
Compacto e confiável para sistemas OEM e retrofit

Especificações Técnicas

Número da Peça: CM150E3U-12H
Configuração: IGBT simples com diodo
Corrente do Coletor: 150 A
Tensão Coletor-Emissor: 600 V
VCE(sat): ~2.0 V na corrente nominal
Tensão de Porta-Emissor: ±20 V
Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.18 °C/W
Velocidade de Comutação: Rápida
Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Tipo de Pacote: Módulo de potência
Peso: Aprox. 250–300 g

Aplicações

Inversores de propósito geral
Drives de motor e robótica
Máquinas de solda industriais
Sistemas de energia de backup e UPS
Sistemas de controle de automação

Por que Escolher o CM150E3U-12H

IGBT eficiente e compacto para aplicações de 600 V
Qualidade confiável de semicondutores da Mitsubishi
Desenho térmico confiável com base isolada
Fácil de integrar em invólucros compactos
Desempenho duradouro em condições industriais

Compre Agora

O módulo IGBT Mitsubishi CM150E3U-12H está disponível e é enviado para todo o mundo.

Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.

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Descripción

Mitsubishi CM150E3U-12H

Visão Geral

Características Principais

Configuração IGBT simples
Corrente do coletor: 150 A
Tensão coletor-emissor: 600 V
Baixa VCE(sat) para alta eficiência
Diodo de roda livre integrado
Base isolada para dissipação térmica otimizada
Construção robusta de montagem em chassi
Compacto e confiável para sistemas OEM e retrofit

Especificações Técnicas

Número da Peça: CM150E3U-12H
Configuração: IGBT simples com diodo
Corrente do Coletor: 150 A
Tensão Coletor-Emissor: 600 V
VCE(sat): ~2.0 V na corrente nominal
Tensão de Porta-Emissor: ±20 V
Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.18 °C/W
Velocidade de Comutação: Rápida
Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Tipo de Pacote: Módulo de potência
Peso: Aprox. 250–300 g

Aplicações

Inversores de propósito geral
Drives de motor e robótica
Máquinas de solda industriais
Sistemas de energia de backup e UPS
Sistemas de controle de automação

Por que Escolher o CM150E3U-12H

IGBT eficiente e compacto para aplicações de 600 V
Qualidade confiável de semicondutores da Mitsubishi
Desenho térmico confiável com base isolada
Fácil de integrar em invólucros compactos
Desempenho duradouro em condições industriais

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O módulo IGBT Mitsubishi CM150E3U-12H está disponível e é enviado para todo o mundo.

Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.