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Infineon FS50R12KT4P_B11
Descripción general
El Infineon FS50R12KT4P_B11 es un módulo IGBT individual de 50 A y 1200 V , basado en la tecnología Trench & Field-Stop IGBT4 en una carcasa EconoDUAL™ 3 para montaje en chasis. Con un termistor NTC integrado y características de conmutación eficientes, ofrece un rendimiento fiable en inversores compactos, variadores de velocidad de motor y convertidores industriales.
Características principales
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Tensión colector-emisor: 1200 V
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Corriente de colector continua: 50 A
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IGBT4 Trench & Field‑Stop: bajas pérdidas de conducción y conmutación
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Diodo de rueda libre de recuperación rápida incluido
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Paquete de montaje en chasis EconoDUAL 3
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Baja inductancia parásita para un funcionamiento eficiente
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Termistor NTC integrado para monitorización de temperatura
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Diseño compacto y robusto
Especificaciones técnicas
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Número de pieza: FS50R12KT4P_B11
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Configuración: Módulo IGBT único
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Tensión nominal: 1200 V
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Clasificación actual: 50 A continua
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Paquete: EconoDUAL 3
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Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
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Tipo de montaje: Chasis con terminales de tornillo
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Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
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Frecuencia de conmutación: hasta ~20 kHz
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Termistor NTC: Integrado
Aplicaciones
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Accionamientos de motores industriales compactos
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Inversores y convertidores trifásicos
-
UPS y sistemas de energía de respaldo
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Microinversores de energía renovable
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Equipos de control y automatización
¿Por qué elegir el FS50R12KT4P_B11?
-
Conmutación de alta eficiencia en un chasis compacto
-
El sensor térmico incorporado respalda la seguridad del sistema.
-
Confiable y duradero para uso industrial a largo plazo.
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Aprovecha la tecnología avanzada IGBT4 de Infineon
Ordene ahora
El módulo IGBT Infineon FS50R12KT4P_B11 está disponible y se envía a todo el mundo.
Regrese a la colección de módulos IGBT de Infineon para obtener más modelos, clasificaciones y configuraciones.
Explore la categoría principal de Componentes electrónicos de potencia para descubrir diodos, tiristores, GTO, MOSFET y otras soluciones de semiconductores.
Descripción
Infineon FS50R12KT4P_B11
Descripción general
El Infineon FS50R12KT4P_B11 es un módulo IGBT individual de 50 A y 1200 V , basado en la tecnología Trench & Field-Stop IGBT4 en una carcasa EconoDUAL™ 3 para montaje en chasis. Con un termistor NTC integrado y características de conmutación eficientes, ofrece un rendimiento fiable en inversores compactos, variadores de velocidad de motor y convertidores industriales.
Características principales
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Tensión colector-emisor: 1200 V
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Corriente de colector continua: 50 A
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IGBT4 Trench & Field‑Stop: bajas pérdidas de conducción y conmutación
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Diodo de rueda libre de recuperación rápida incluido
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Paquete de montaje en chasis EconoDUAL 3
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Baja inductancia parásita para un funcionamiento eficiente
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Termistor NTC integrado para monitorización de temperatura
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Diseño compacto y robusto
Especificaciones técnicas
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Número de pieza: FS50R12KT4P_B11
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Configuración: Módulo IGBT único
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Tensión nominal: 1200 V
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Clasificación actual: 50 A continua
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Paquete: EconoDUAL 3
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Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
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Tipo de montaje: Chasis con terminales de tornillo
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Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
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Frecuencia de conmutación: hasta ~20 kHz
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Termistor NTC: Integrado
Aplicaciones
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Inversores y convertidores trifásicos
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UPS y sistemas de energía de respaldo
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Microinversores de energía renovable
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¿Por qué elegir el FS50R12KT4P_B11?
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Conmutación de alta eficiencia en un chasis compacto
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El sensor térmico incorporado respalda la seguridad del sistema.
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Confiable y duradero para uso industrial a largo plazo.
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