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Infineon FF1200R12IE5
Descripción general
El Infineon FF1200R12IE5 es un módulo IGBT de alta gama con capacidad nominal de 1200 A y 1200 V, que incorpora tecnología IGBT Trench & Field-stop en un encapsulado EconoDUAL™ 3 montado en chasis. Diseñado para entornos de alta eficiencia y alta corriente, este módulo destaca en variadores industriales, convertidores de potencia, inversores de energía renovable y sistemas de tracción.
Características principales
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Tensión nominal: 1200 V
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Clasificación actual: 1200 A
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IGBT avanzado de zanja y de parada de campo
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Diodo de rueda libre integrado
-
Carcasa de chasis estándar EconoDUAL™ 3
-
Alta densidad de potencia y baja inductancia parásita
-
Sensor de temperatura NTC incorporado
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Diseñado para conexión en paralelo y ciclo térmico.
Especificaciones técnicas
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Número de pieza: FF1200R12IE5
-
Configuración: IGBT único
-
VCE(Máx.): 1200 V
-
IC: 1200 A continua
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Paquete: EconoDUAL 3
-
Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
-
Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
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Montaje: Chasis con terminales de tornillo
-
Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz
-
Termistor NTC: Incluido
Aplicaciones
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Accionamientos de tracción y motores de servicio pesado
-
Inversores de alta potencia y sistemas UPS
-
Sistemas de energía renovable (eólica/solar)
-
Convertidores de soldadura industrial
-
Convertidores de red y potencia de tracción
¿Por qué elegir el FF1200R12IE5?
-
Capacidad de corriente excepcional en un paquete compacto
-
Bajas pérdidas de conducción y conmutación para una mayor eficiencia
-
EconoDUAL 3 hace que la integración sea sencilla y escalable
-
Diseñado para soportar entornos industriales exigentes
-
La probada tecnología IGBT de Infineon para mayor confiabilidad
Ordene ahora
El módulo IGBT Infineon FF1200R12IE5 está disponible y se envía a todo el mundo.
Regrese a la colección de módulos IGBT de Infineon para obtener más modelos, clasificaciones y configuraciones.
Explore la categoría principal de Componentes electrónicos de potencia para descubrir diodos, tiristores, GTO, MOSFET y otras soluciones de semiconductores.
Descripción
Infineon FF1200R12IE5
Descripción general
El Infineon FF1200R12IE5 es un módulo IGBT de alta gama con capacidad nominal de 1200 A y 1200 V, que incorpora tecnología IGBT Trench & Field-stop en un encapsulado EconoDUAL™ 3 montado en chasis. Diseñado para entornos de alta eficiencia y alta corriente, este módulo destaca en variadores industriales, convertidores de potencia, inversores de energía renovable y sistemas de tracción.
Características principales
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Tensión nominal: 1200 V
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Clasificación actual: 1200 A
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IGBT avanzado de zanja y de parada de campo
-
Diodo de rueda libre integrado
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Carcasa de chasis estándar EconoDUAL™ 3
-
Alta densidad de potencia y baja inductancia parásita
-
Sensor de temperatura NTC incorporado
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Diseñado para conexión en paralelo y ciclo térmico.
Especificaciones técnicas
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Número de pieza: FF1200R12IE5
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Configuración: IGBT único
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VCE(Máx.): 1200 V
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IC: 1200 A continua
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Paquete: EconoDUAL 3
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Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
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Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
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Montaje: Chasis con terminales de tornillo
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Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz
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Termistor NTC: Incluido
Aplicaciones
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Accionamientos de tracción y motores de servicio pesado
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Inversores de alta potencia y sistemas UPS
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Sistemas de energía renovable (eólica/solar)
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Convertidores de soldadura industrial
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Convertidores de red y potencia de tracción
¿Por qué elegir el FF1200R12IE5?
-
Capacidad de corriente excepcional en un paquete compacto
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Bajas pérdidas de conducción y conmutación para una mayor eficiencia
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EconoDUAL 3 hace que la integración sea sencilla y escalable
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Diseñado para soportar entornos industriales exigentes
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La probada tecnología IGBT de Infineon para mayor confiabilidad
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