Más de 10 disponibles en stock.
-
Garantizar
Envío gratuito en todos los pedidos. -
Superaremos cualquier precio.
Garantía de 1 año -
envío gratis
Expertos disponibles 24/7/365 -
envío gratis
Reembolso de 30 días
Infineon BSM50GD120DN2G
Descripción general
El Infineon BSM50GD120DN2G es un módulo IGBT único de 50 A y 1200 V, integrado en la carcasa compacta EconoPACK™ 2. Diseñado para aplicaciones industriales de potencia media, ofrece un rendimiento de conmutación fiable, bajas pérdidas de conducción y una excelente eficiencia térmica en un formato compacto.
Características principales
-
Voltaje colector-emisor: 1200 V
-
Corriente de colector continua: 50 A
-
Tecnología IGBT de parada de campo/zanja
-
VCE(sat) bajo para reducir la pérdida de conducción
-
Diodo de rueda libre de recuperación rápida incorporado
-
Diseño robusto de montaje en chasis
-
Aislamiento de alto voltaje y construcción robusta.
Especificaciones técnicas
-
Número de pieza: BSM50GD120DN2G
-
Tensión nominal: 1200 V
-
Corriente nominal: 50 A
-
Configuración: IGBT único
-
Paquete: EconoPACK 2
-
Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
-
Tipo de montaje: Montaje en chasis
-
Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
-
Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz
-
Termistor NTC: No incluido
Aplicaciones
-
Inversores de propósito general
-
Accionamientos de motor en sistemas de automatización
-
Convertidores de energía renovable
-
Soldadura y fuentes de alimentación
-
Equipos industriales de gama media
¿Por qué elegir el BSM50GD120DN2G?
-
Solución IGBT única y confiable para un control preciso
-
Compacto y fácil de integrar
-
Larga vida útil en condiciones industriales
-
Conmutación eficiente con estabilidad térmica
Ordene ahora
El módulo IGBT Infineon BSM50GD120DN2G está disponible y se envía a todo el mundo.
Regrese a la colección de módulos IGBT de Infineon para obtener más modelos, clasificaciones y configuraciones.
Explore la categoría principal de Componentes electrónicos de potencia para descubrir diodos, tiristores, GTO, MOSFET y otras soluciones de semiconductores.
Descripción
Infineon BSM50GD120DN2G
Descripción general
El Infineon BSM50GD120DN2G es un módulo IGBT único de 50 A y 1200 V, integrado en la carcasa compacta EconoPACK™ 2. Diseñado para aplicaciones industriales de potencia media, ofrece un rendimiento de conmutación fiable, bajas pérdidas de conducción y una excelente eficiencia térmica en un formato compacto.
Características principales
-
Voltaje colector-emisor: 1200 V
-
Corriente de colector continua: 50 A
-
Tecnología IGBT de parada de campo/zanja
-
VCE(sat) bajo para reducir la pérdida de conducción
-
Diodo de rueda libre de recuperación rápida incorporado
-
Diseño robusto de montaje en chasis
-
Aislamiento de alto voltaje y construcción robusta.
Especificaciones técnicas
-
Número de pieza: BSM50GD120DN2G
-
Tensión nominal: 1200 V
-
Corriente nominal: 50 A
-
Configuración: IGBT único
-
Paquete: EconoPACK 2
-
Voltaje de aislamiento: ≥2500 V
-
Tipo de montaje: Montaje en chasis
-
Temperatura de funcionamiento: –40 °C a +150 °C (Tj)
-
Frecuencia de conmutación: hasta 20 kHz
-
Termistor NTC: No incluido
Aplicaciones
-
Inversores de propósito general
-
Accionamientos de motor en sistemas de automatización
-
Convertidores de energía renovable
-
Soldadura y fuentes de alimentación
-
Equipos industriales de gama media
¿Por qué elegir el BSM50GD120DN2G?
-
Solución IGBT única y confiable para un control preciso
-
Compacto y fácil de integrar
-
Larga vida útil en condiciones industriales
-
Conmutación eficiente con estabilidad térmica
Ordene ahora
El módulo IGBT Infineon BSM50GD120DN2G está disponible y se envía a todo el mundo.
Regrese a la colección de módulos IGBT de Infineon para obtener más modelos, clasificaciones y configuraciones.
Explore la categoría principal de Componentes electrónicos de potencia para descubrir diodos, tiristores, GTO, MOSFET y otras soluciones de semiconductores.