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Mitsubishi CM200DY-24T
Visão Geral
O Mitsubishi CM200DY-24T é um módulo de potência IGBT duplo com capacidade de 200 A e 1200 V, projetado para comutação de potência eficiente em aplicações industriais. Com estrutura de porta em trincheira e diodos de roda livre integrados, oferece desempenho confiável, baixa perda de condução e comutação rápida em um design compacto com base isolada.
Características Principais
Topologia de ponte completa IGBT dupla
Corrente contínua do coletor: 200 A
Tensão coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia de porta em trincheira para maior eficiência
Diodos de recuperação rápida integrados
Base isolada para transferência térmica eficaz
Carcaça robusta para montagem em chassis
Adequado para sistemas inversores de alta potência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM200DY-24T
Configuração: Módulo IGBT duplo
Corrente do Coletor: 200 A
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): Aproximadamente 2.1–2.2 V em 200 A
Tensão Porta-Emissor: ±20 V
Velocidade de Comutação: Rápida
Resistência Térmica (J-C): ~0.18 °C/W
Tipo de Montagem: Montagem em chassis (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Pacote: Módulo de potência
Peso: Aproximadamente 300 g
Aplicações
Drives de motores e automação industrial
Inversores de potência e conversores
Sistemas de energia de backup e UPS
Sistemas de energia renovável
Equipamentos de comutação de alta tensão
Por Que Escolher o CM200DY-24T
Combinação ideal de alta capacidade de corrente e tensão
Comutação eficiente e rápida com porta em trincheira
Durabilidade e desempenho de grau industrial da Mitsubishi
Design térmico confiável com montagem isolada
Amplamente utilizado em sistemas de eletrônica de potência
Peça Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM200DY-24T está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetado para conversão de potência eficiente e desempenho confiável em automação industrial.
Explore a categoria principal para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções semicondutoras.
Descripción
Mitsubishi CM200DY-24T
Visão Geral
O Mitsubishi CM200DY-24T é um módulo de potência IGBT duplo com capacidade de 200 A e 1200 V, projetado para comutação de potência eficiente em aplicações industriais. Com estrutura de porta em trincheira e diodos de roda livre integrados, oferece desempenho confiável, baixa perda de condução e comutação rápida em um design compacto com base isolada.
Características Principais
Topologia de ponte completa IGBT dupla
Corrente contínua do coletor: 200 A
Tensão coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia de porta em trincheira para maior eficiência
Diodos de recuperação rápida integrados
Base isolada para transferência térmica eficaz
Carcaça robusta para montagem em chassis
Adequado para sistemas inversores de alta potência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM200DY-24T
Configuração: Módulo IGBT duplo
Corrente do Coletor: 200 A
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): Aproximadamente 2.1–2.2 V em 200 A
Tensão Porta-Emissor: ±20 V
Velocidade de Comutação: Rápida
Resistência Térmica (J-C): ~0.18 °C/W
Tipo de Montagem: Montagem em chassis (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Pacote: Módulo de potência
Peso: Aproximadamente 300 g
Aplicações
Drives de motores e automação industrial
Inversores de potência e conversores
Sistemas de energia de backup e UPS
Sistemas de energia renovável
Equipamentos de comutação de alta tensão
Por Que Escolher o CM200DY-24T
Combinação ideal de alta capacidade de corrente e tensão
Comutação eficiente e rápida com porta em trincheira
Durabilidade e desempenho de grau industrial da Mitsubishi
Design térmico confiável com montagem isolada
Amplamente utilizado em sistemas de eletrônica de potência
Peça Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM200DY-24T está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetado para conversão de potência eficiente e desempenho confiável em automação industrial.
Explore a categoria principal para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções semicondutoras.