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Mitsubishi CM400ST-24S1
Visão Geral
O Mitsubishi CM400ST-24S1 é um módulo IGBT de alta potência, classificado em 400 A e 1200 V, projetado para controle de energia industrial. Este módulo com base isolada possui tecnologia de IGBT com gate trench e um design compacto para montagem em chassis, garantindo gerenciamento térmico eficaz e comutação confiável em sistemas de alto desempenho.
Características Principais
Configuração única de IGBT
Corrente do coletor: 400 A
Voltagem coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia de gate trench para alta eficiência
Diodo de recuperação rápida integrado
Base isolada para dissipação superior de calor
Pacote robusto para montagem em chassis
Ideal para aplicações de comutação em alta frequência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM400ST-24S1
Configuração: IGBT único com diodo
Corrente do Coletor: 400 A
Voltagem Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): ~2.1–2.3 V @ corrente nominal
Voltagem Gate-Emissor: ±20 V
Resistência Térmica (Junction-Case): ~0.08 °C/W
Velocidade de Comutação: Rápida
Tipo de Montagem: Montagem em chassis (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Tipo de Pacote: Módulo de potência industrial
Peso: Aprox. 700–900 g
Aplicações
Drives de motor e robótica
Inversores de energia renovável
Fontes de alimentação industrial
Sistemas de soldagem e automação
Equipamentos de comutação de alta potência
Por que Escolher o CM400ST-24S1
Fornece comutação de alta corrente em 1200 V
Eficiência comprovada de gate trench da Mitsubishi
Desempenho térmico seguro com base isolada
Design compacto e confiável para sistemas OEM
Suportado pela qualidade e durabilidade da Mitsubishi
Compre Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM400ST-24S1 está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável na automação industrial.
Explore a categoria principal de Componentes de Eletrônica de Potência para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções de semicondutores.
Description
Mitsubishi CM400ST-24S1
Visão Geral
O Mitsubishi CM400ST-24S1 é um módulo IGBT de alta potência, classificado em 400 A e 1200 V, projetado para controle de energia industrial. Este módulo com base isolada possui tecnologia de IGBT com gate trench e um design compacto para montagem em chassis, garantindo gerenciamento térmico eficaz e comutação confiável em sistemas de alto desempenho.
Características Principais
Configuração única de IGBT
Corrente do coletor: 400 A
Voltagem coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia de gate trench para alta eficiência
Diodo de recuperação rápida integrado
Base isolada para dissipação superior de calor
Pacote robusto para montagem em chassis
Ideal para aplicações de comutação em alta frequência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM400ST-24S1
Configuração: IGBT único com diodo
Corrente do Coletor: 400 A
Voltagem Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): ~2.1–2.3 V @ corrente nominal
Voltagem Gate-Emissor: ±20 V
Resistência Térmica (Junction-Case): ~0.08 °C/W
Velocidade de Comutação: Rápida
Tipo de Montagem: Montagem em chassis (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Tipo de Pacote: Módulo de potência industrial
Peso: Aprox. 700–900 g
Aplicações
Drives de motor e robótica
Inversores de energia renovável
Fontes de alimentação industrial
Sistemas de soldagem e automação
Equipamentos de comutação de alta potência
Por que Escolher o CM400ST-24S1
Fornece comutação de alta corrente em 1200 V
Eficiência comprovada de gate trench da Mitsubishi
Desempenho térmico seguro com base isolada
Design compacto e confiável para sistemas OEM
Suportado pela qualidade e durabilidade da Mitsubishi
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O módulo IGBT Mitsubishi CM400ST-24S1 está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável na automação industrial.
Explore a categoria principal de Componentes de Eletrônica de Potência para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções de semicondutores.