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Mitsubishi CM1000E3UA-24D
Visão Geral
O Mitsubishi CM1000E3UA-24D é um módulo IGBT dual com capacidade de 1000 A e 1200 V, projetado para alta eficiência de comutação em grandes sistemas industriais. Seu design de módulo isolado, capacidade de alta corrente e desempenho confiável o tornam ideal para uso em acionamentos de motores, sistemas de tração e inversores de potência.
Características Principais
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
Corrente Contínua do Coletor: 1000 A
Configuração Dual IGBT com diodos de roda livre
Base isolada para melhor gerenciamento térmico
Baixa tensão de saturação para menor perda de condução
Características de comutação em alta velocidade
Pacote robusto para ambientes exigentes
Adequado para aplicações de inversores de alta frequência
Especificações Técnicas
Número de Peça: CM1000E3UA-24D
Fabricante: Mitsubishi Electric
Configuração: Dual-pack
Vce (Máx): 1200 V
Ic (Nominal): 1000 A
Vce(sat): ~2.1 V típico
Tipo de Montagem: Montagem em chassis
Pacote: Módulo de base isolada
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C (Tj)
Tensão de Isolamento: ≥2500 V
Frequência de Comutação: Até 10 kHz
Aplicações
Inversores de alta potência
Drives de motores industriais
Sistemas de tração e locomotivas elétricas
Conversores de energia renovável
Sistemas de rede elétrica e UPS
Por Que Escolher o CM1000E3UA-24D
Suporta comutação de corrente extremamente alta
Arquitetura Dual IGBT melhora a eficiência
Projetado para operação a longo prazo sob estresse térmico
Adequado para soluções industriais e de transporte
Qualidade comprovada da Mitsubishi em eletrônica de potência
Compre Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM1000E3UA-24D está disponível e envia para todo o mundo.
Este produto é parte da nossa coleção de Módulos IGBT da Mitsubishi, projetados para conversão de potência de alta eficiência e desempenho confiável na automação industrial. Navegue pela gama completa de Módulos IGBT da Mitsubishi.
Explore a categoria principal de Componentes Eletrônicos de Potência para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções semicondutoras.
Description
Mitsubishi CM1000E3UA-24D
Visão Geral
O Mitsubishi CM1000E3UA-24D é um módulo IGBT dual com capacidade de 1000 A e 1200 V, projetado para alta eficiência de comutação em grandes sistemas industriais. Seu design de módulo isolado, capacidade de alta corrente e desempenho confiável o tornam ideal para uso em acionamentos de motores, sistemas de tração e inversores de potência.
Características Principais
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
Corrente Contínua do Coletor: 1000 A
Configuração Dual IGBT com diodos de roda livre
Base isolada para melhor gerenciamento térmico
Baixa tensão de saturação para menor perda de condução
Características de comutação em alta velocidade
Pacote robusto para ambientes exigentes
Adequado para aplicações de inversores de alta frequência
Especificações Técnicas
Número de Peça: CM1000E3UA-24D
Fabricante: Mitsubishi Electric
Configuração: Dual-pack
Vce (Máx): 1200 V
Ic (Nominal): 1000 A
Vce(sat): ~2.1 V típico
Tipo de Montagem: Montagem em chassis
Pacote: Módulo de base isolada
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C (Tj)
Tensão de Isolamento: ≥2500 V
Frequência de Comutação: Até 10 kHz
Aplicações
Inversores de alta potência
Drives de motores industriais
Sistemas de tração e locomotivas elétricas
Conversores de energia renovável
Sistemas de rede elétrica e UPS
Por Que Escolher o CM1000E3UA-24D
Suporta comutação de corrente extremamente alta
Arquitetura Dual IGBT melhora a eficiência
Projetado para operação a longo prazo sob estresse térmico
Adequado para soluções industriais e de transporte
Qualidade comprovada da Mitsubishi em eletrônica de potência
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O módulo IGBT Mitsubishi CM1000E3UA-24D está disponível e envia para todo o mundo.
Este produto é parte da nossa coleção de Módulos IGBT da Mitsubishi, projetados para conversão de potência de alta eficiência e desempenho confiável na automação industrial. Navegue pela gama completa de Módulos IGBT da Mitsubishi.
Explore a categoria principal de Componentes Eletrônicos de Potência para descobrir diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções semicondutoras.