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Mitsubishi CM150E3U-12H
Visão Geral
O Mitsubishi CM150E3U-12H é um módulo de potência IGBT simples, classificado para 150 A e 600 V, oferecendo comutação em alta velocidade e baixas perdas de condução. Projetado com uma baixa tensão de saturação e base isolada, este módulo é ideal para eletrônicos de potência compactos e de alta eficiência. Seu pacote de montagem em chassi robusto garante confiabilidade a longo prazo em ambientes industriais.
Características Principais
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Configuração IGBT simples
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Corrente do coletor: 150 A
-
Tensão coletor-emissor: 600 V
-
Baixa VCE(sat) para alta eficiência
-
Diodo de roda livre integrado
-
Base isolada para dissipação térmica otimizada
-
Construção robusta de montagem em chassi
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Compacto e confiável para sistemas OEM e retrofit
Especificações Técnicas
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Número da Peça: CM150E3U-12H
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Configuração: IGBT simples com diodo
-
Corrente do Coletor: 150 A
-
Tensão Coletor-Emissor: 600 V
-
VCE(sat): ~2.0 V na corrente nominal
-
Tensão de Porta-Emissor: ±20 V
-
Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.18 °C/W
-
Velocidade de Comutação: Rápida
-
Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
-
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
-
Tipo de Pacote: Módulo de potência
-
Peso: Aprox. 250–300 g
Aplicações
-
Inversores de propósito geral
-
Drives de motor e robótica
-
Máquinas de solda industriais
-
Sistemas de energia de backup e UPS
-
Sistemas de controle de automação
Por que Escolher o CM150E3U-12H
-
IGBT eficiente e compacto para aplicações de 600 V
-
Qualidade confiável de semicondutores da Mitsubishi
-
Desenho térmico confiável com base isolada
-
Fácil de integrar em invólucros compactos
-
Desempenho duradouro em condições industriais
Compre Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM150E3U-12H está disponível e é enviado para todo o mundo.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.
Descrição
Mitsubishi CM150E3U-12H
Visão Geral
O Mitsubishi CM150E3U-12H é um módulo de potência IGBT simples, classificado para 150 A e 600 V, oferecendo comutação em alta velocidade e baixas perdas de condução. Projetado com uma baixa tensão de saturação e base isolada, este módulo é ideal para eletrônicos de potência compactos e de alta eficiência. Seu pacote de montagem em chassi robusto garante confiabilidade a longo prazo em ambientes industriais.
Características Principais
-
Configuração IGBT simples
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Corrente do coletor: 150 A
-
Tensão coletor-emissor: 600 V
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Baixa VCE(sat) para alta eficiência
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Diodo de roda livre integrado
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Base isolada para dissipação térmica otimizada
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Construção robusta de montagem em chassi
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Compacto e confiável para sistemas OEM e retrofit
Especificações Técnicas
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Número da Peça: CM150E3U-12H
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Configuração: IGBT simples com diodo
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Corrente do Coletor: 150 A
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Tensão Coletor-Emissor: 600 V
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VCE(sat): ~2.0 V na corrente nominal
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Tensão de Porta-Emissor: ±20 V
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Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.18 °C/W
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Velocidade de Comutação: Rápida
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Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
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Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
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Tipo de Pacote: Módulo de potência
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Peso: Aprox. 250–300 g
Aplicações
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Inversores de propósito geral
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Drives de motor e robótica
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Máquinas de solda industriais
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Sistemas de energia de backup e UPS
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Sistemas de controle de automação
Por que Escolher o CM150E3U-12H
-
IGBT eficiente e compacto para aplicações de 600 V
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Qualidade confiável de semicondutores da Mitsubishi
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Desenho térmico confiável com base isolada
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Fácil de integrar em invólucros compactos
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Desempenho duradouro em condições industriais
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O módulo IGBT Mitsubishi CM150E3U-12H está disponível e é enviado para todo o mundo.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetados para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.
Condições
Garantia
Aviso Legal
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