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Semikron SKM400GB125D – Módulo IGBT Meia Ponte 400A 1200V SEMITRANS 3
O Semikron SKM400GB125D é um módulo IGBT de meia ponte desenvolvido para aplicações de alta frequência e elevada potência, onde eficiência elétrica, baixa indutância e robustez térmica são essenciais. Operando com 1200 V e corrente contínua de até 400 A, este módulo é indicado para conversão de energia em regimes severos e aplicações industriais avançadas.
A construção no encapsulamento SEMITRANS® 3 proporciona baixa indutância parasita e excelente isolamento elétrico. O módulo utiliza IGBT ultrarrápido do tipo NPT, com alta capacidade de suportar curto-circuito, além de diodos inversos rápidos e suaves integrados, garantindo comutação eficiente mesmo em frequências elevadas. A base de cobre com tecnologia DBC (Direct Bonded Copper) assegura dissipação térmica eficiente e operação confiável em ciclos contínuos.
Principais Características
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Tensão coletor-emissor de 1200 V
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Corrente contínua de 400 A a 25 °C e 300 A a 80 °C
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Topologia de meia ponte (half-bridge)
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Tecnologia IGBT ultrarrápido NPT com alta robustez
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Diodos inversos rápidos e de recuperação suave integrados
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Encapsulamento SEMITRANS 3 de baixa indutância
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Base de cobre com tecnologia DBC para melhor dissipação térmica
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Alta resistência a curto-circuito e operação em alta frequência
Especificações Técnicas
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Código do produto: SKM400GB125D
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Topologia: Meia ponte – módulo único
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VCES: 1200 V
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Corrente nominal (IC): 400 A @ 25 °C / 300 A @ 80 °C
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Corrente de pico (ICRM): 600 A (1 ms)
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Tensão de isolamento: ≥ 4000 V AC (1 min)
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Encapsulamento: SEMITRANS 3
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Resistência térmica junção–case: ≈ 0,05 K/W
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Temperatura de junção: –40 °C a +150 °C
-
Dimensões aproximadas: 106 × 62 × 31 mm
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Tipo de montagem: Chassi
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Terminais: Parafusos M6 e interface de 7 pinos
Aplicações
-
Fontes chaveadas de alta frequência (SMPS acima de 20 kHz)
-
Inversores ressonantes (até 100 kHz)
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Sistemas de aquecimento por indução
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Equipamentos industriais de soldagem de alta frequência
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Conversão de energia de uso geral em alta potência
Por Que Escolher o SKM400GB125D
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Combinação ideal de alta corrente e tensão em formato compacto
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Comutação ultrarrápida com baixa indutância parasita
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Excelente resistência a curto-circuito para aplicações críticas
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Desempenho térmico superior com base DBC em cobre
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Qualidade e confiabilidade reconhecidas da Semikron
Disponibilidade
O Semikron SKM400GB125D está em produção e disponível por meio de distribuidores autorizados, com fornecimento nacional e internacional.
Confira outros módulos IGBT Semikron para diferentes topologias, correntes e tensões.
Explore também a categoria completa de componentes para eletrônica de potência, incluindo diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções industriais.
Descrição
Semikron SKM400GB125D – Módulo IGBT Meia Ponte 400A 1200V SEMITRANS 3
O Semikron SKM400GB125D é um módulo IGBT de meia ponte desenvolvido para aplicações de alta frequência e elevada potência, onde eficiência elétrica, baixa indutância e robustez térmica são essenciais. Operando com 1200 V e corrente contínua de até 400 A, este módulo é indicado para conversão de energia em regimes severos e aplicações industriais avançadas.
A construção no encapsulamento SEMITRANS® 3 proporciona baixa indutância parasita e excelente isolamento elétrico. O módulo utiliza IGBT ultrarrápido do tipo NPT, com alta capacidade de suportar curto-circuito, além de diodos inversos rápidos e suaves integrados, garantindo comutação eficiente mesmo em frequências elevadas. A base de cobre com tecnologia DBC (Direct Bonded Copper) assegura dissipação térmica eficiente e operação confiável em ciclos contínuos.
Principais Características
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Tensão coletor-emissor de 1200 V
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Corrente contínua de 400 A a 25 °C e 300 A a 80 °C
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Topologia de meia ponte (half-bridge)
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Tecnologia IGBT ultrarrápido NPT com alta robustez
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Diodos inversos rápidos e de recuperação suave integrados
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Encapsulamento SEMITRANS 3 de baixa indutância
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Base de cobre com tecnologia DBC para melhor dissipação térmica
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Alta resistência a curto-circuito e operação em alta frequência
Especificações Técnicas
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Código do produto: SKM400GB125D
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Topologia: Meia ponte – módulo único
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VCES: 1200 V
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Corrente nominal (IC): 400 A @ 25 °C / 300 A @ 80 °C
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Corrente de pico (ICRM): 600 A (1 ms)
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Tensão de isolamento: ≥ 4000 V AC (1 min)
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Encapsulamento: SEMITRANS 3
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Resistência térmica junção–case: ≈ 0,05 K/W
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Temperatura de junção: –40 °C a +150 °C
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Dimensões aproximadas: 106 × 62 × 31 mm
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Tipo de montagem: Chassi
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Terminais: Parafusos M6 e interface de 7 pinos
Aplicações
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Fontes chaveadas de alta frequência (SMPS acima de 20 kHz)
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Inversores ressonantes (até 100 kHz)
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Sistemas de aquecimento por indução
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Equipamentos industriais de soldagem de alta frequência
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Conversão de energia de uso geral em alta potência
Por Que Escolher o SKM400GB125D
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Combinação ideal de alta corrente e tensão em formato compacto
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Comutação ultrarrápida com baixa indutância parasita
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Excelente resistência a curto-circuito para aplicações críticas
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Desempenho térmico superior com base DBC em cobre
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Qualidade e confiabilidade reconhecidas da Semikron
Disponibilidade
O Semikron SKM400GB125D está em produção e disponível por meio de distribuidores autorizados, com fornecimento nacional e internacional.
Confira outros módulos IGBT Semikron para diferentes topologias, correntes e tensões.
Explore também a categoria completa de componentes para eletrônica de potência, incluindo diodos, tiristores, GTOs, MOSFETs e outras soluções industriais.