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Mitsubishi CM1000E2UA-24D
Visão Geral
O Mitsubishi CM1000E2UA-24D é um módulo IGBT de alta corrente, classificado em 1000 A e 1200 V, desenvolvido para aplicações exigentes em eletrônica de potência. Com tecnologia avançada de trench-gate e uma base isolada, garante comutação eficiente, baixas perdas de condução e superior manejo térmico para sistemas industriais de alta confiabilidade.
Características Principais
Configuração única de IGBT
Corrente nominal: 1000 A
Tensão coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia IGBT de trench-gate
Capacidade de comutação de alta velocidade
Base isolada para melhor transferência de calor
Design robusto para montagem em chassi
Compatível com configurações paralelas para maior potência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM1000E2UA-24D
Configuração: IGBT único
Corrente do Coletor: 1000 A
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): ~2.0–2.2 V @ corrente nominal
Tensão Porta-Emissor: ±20 V
Velocidade de Comutação: Rápida
Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.025 °C/W
Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Pacote: Módulo IGBT de alta potência
Peso: Aproximadamente 1 kg
Aplicações
Inversores e drives de alta potência
Sistemas de tração e transporte
Sistemas de energia renovável
Unidades de condicionamento de energia
Automação industrial e sistemas de soldagem
Por que Escolher o CM1000E2UA-24D
Capacidade de corrente massiva de 1000 A
Tensão de bloqueio de 1200 V para segurança industrial
Tecnologia IGBT de trench-gate confiável da Mitsubishi
Excelente desempenho térmico com base isolada
Ideal para operações de alta potência e alta demanda
Compre Agora
O módulo IGBT Mitsubishi CM1000E2UA-24D está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetada para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.
Descrição
Mitsubishi CM1000E2UA-24D
Visão Geral
O Mitsubishi CM1000E2UA-24D é um módulo IGBT de alta corrente, classificado em 1000 A e 1200 V, desenvolvido para aplicações exigentes em eletrônica de potência. Com tecnologia avançada de trench-gate e uma base isolada, garante comutação eficiente, baixas perdas de condução e superior manejo térmico para sistemas industriais de alta confiabilidade.
Características Principais
Configuração única de IGBT
Corrente nominal: 1000 A
Tensão coletor-emissor: 1200 V
Tecnologia IGBT de trench-gate
Capacidade de comutação de alta velocidade
Base isolada para melhor transferência de calor
Design robusto para montagem em chassi
Compatível com configurações paralelas para maior potência
Especificações Técnicas
Número da Peça: CM1000E2UA-24D
Configuração: IGBT único
Corrente do Coletor: 1000 A
Tensão Coletor-Emissor: 1200 V
VCE(sat): ~2.0–2.2 V @ corrente nominal
Tensão Porta-Emissor: ±20 V
Velocidade de Comutação: Rápida
Resistência Térmica (Junção-Caso): ~0.025 °C/W
Tipo de Montagem: Montagem em chassi (base isolada)
Temperatura de Operação: –40 °C a +150 °C
Pacote: Módulo IGBT de alta potência
Peso: Aproximadamente 1 kg
Aplicações
Inversores e drives de alta potência
Sistemas de tração e transporte
Sistemas de energia renovável
Unidades de condicionamento de energia
Automação industrial e sistemas de soldagem
Por que Escolher o CM1000E2UA-24D
Capacidade de corrente massiva de 1000 A
Tensão de bloqueio de 1200 V para segurança industrial
Tecnologia IGBT de trench-gate confiável da Mitsubishi
Excelente desempenho térmico com base isolada
Ideal para operações de alta potência e alta demanda
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O módulo IGBT Mitsubishi CM1000E2UA-24D está disponível e é enviado mundialmente.
Este produto faz parte da nossa coleção de Módulos IGBT Mitsubishi, projetada para conversão de energia de alta eficiência e desempenho confiável em automação industrial.
Condições
Garantia
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